SK hynix khởi động lại Fab 2 tại Đại Liên, hướng tới sản xuất NAND hàng loạt từ nửa đầu 2027

SK hynix được cho là đã nối lại khoản đầu tư vào nhà máy NAND Fab 2 tại Đại Liên, Trung Quốc, với mục tiêu đưa dây chuyền mới vào sản xuất hàng loạt trong nửa đầu năm 2027. Dự án dự kiến bổ sung khoảng 50.000 wafer/tháng, nâng tổng công suất NAND của SK hynix tại Đại Liên thêm khoảng 50%.

Theo Seoul Economic Daily, công ty con Solidigm của SK hynix đã nối lại đầu tư vào Fab 2 tại Đại Liên trong nửa đầu năm nay và đã hoàn tất xây dựng tòa nhà nhà máy. Việc lắp đặt thiết bị có thể bắt đầu sớm nhất vào tháng 11, trong khi sản xuất NAND hàng loạt được đặt mục tiêu triển khai từ nửa đầu năm 2027.

Khi đi vào hoạt động, Fab 2 dự kiến bổ sung khoảng 50.000 wafer mỗi tháng, bên cạnh công suất khoảng 100.000 wafer/tháng của Fab 1. Điều này sẽ giúp nâng tổng công suất sản xuất NAND của SK hynix tại Đại Liên lên khoảng 150.000 wafer/tháng, tương đương mức tăng khoảng 50%.

Đáng chú ý, dự án được khởi động lại sau khoảng bốn năm tạm dừng. SK hynix hoàn tất thương vụ mua lại mảng kinh doanh NAND của Intel cùng Fab 1 tại Đại Liên vào năm 2021. Đến tháng 5/2022, công ty bắt đầu xây dựng Fab 2 nhưng sau đó tạm dừng dự án trong bối cảnh thị trường bộ nhớ suy giảm.

Chiến lược NAND hai hướng: Đại Liên và Cheongju

Việc tái khởi động Fab 2 cho thấy SK hynix đang xây dựng chiến lược sản xuất NAND theo hai hướng, với vai trò khác nhau giữa các cơ sở tại Trung Quốc và Hàn Quốc.

Tại Đại Liên, SK hynix sẽ tập trung vào NAND phổ thông dựa trên các công nghệ đã trưởng thành. Theo Seoul Economic Daily, sản xuất tại đây chủ yếu hướng đến NAND khoảng 100 lớp, sử dụng kiến trúc floating-gate (FG) đã được Intel phát triển và ứng dụng.

Trong khi đó, các cơ sở tại Cheongju, Hàn Quốc sẽ tập trung vào NAND thế hệ mới với số lớp cao hơn. Những sản phẩm NAND trên 300 lớp dự kiến được sản xuất tại các cơ sở như nhà máy M17.

Tuy nhiên, hoạt động tại Đại Liên vẫn chịu ảnh hưởng bởi các hạn chế của Mỹ đối với thiết bị sản xuất bán dẫn tiên tiến. Theo Chosun Biz, các hạn chế đối với những thiết bị tiên tiến như EUV đã khiến khả năng nâng cấp công nghệ tại cơ sở này bị hạn chế, đồng thời góp phần kéo dài thời gian chuyển đổi thiết bị và cải thiện tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn.

Song song với việc mở rộng tại Trung Quốc, SK hynix cũng đang đẩy mạnh đầu tư NAND tiên tiến tại Hàn Quốc. Công ty trước đó đã công bố khoản đầu tư 19,1 nghìn tỷ won vào Fab M17 tại Cheongju. Phòng sạch đầu tiên của nhà máy dự kiến hoàn thành vào cuối năm 2028, phục vụ sản xuất NAND thế hệ tiếp theo.

SK hynix củng cố vị thế trên thị trường NAND

Động thái mở rộng công suất diễn ra trong bối cảnh SK hynix đang cải thiện đáng kể vị thế trên thị trường NAND toàn cầu.

Theo TrendForce, trong quý I/2026, SK hynix Group – bao gồm SK hynix và Solidigm – đạt doanh thu NAND Flash khoảng 7,53 tỷ USD, tăng 44,6% so với quý trước. Thị phần của tập đoàn đạt 17,6%, đứng thứ hai toàn cầu, sau Samsung với 31,6%.

Việc đồng thời mở rộng công suất tại Đại Liên và phát triển NAND thế hệ mới tại Cheongju cho thấy SK hynix đang hướng tới một mô hình sản xuất phân tầng: tận dụng các cơ sở tại Trung Quốc cho NAND công nghệ trưởng thành, trong khi tập trung năng lực sản xuất tiên tiến tại Hàn Quốc.

Samsung cũng nâng cấp năng lực NAND tại Tây An

Không chỉ SK hynix, Samsung cũng đang đẩy mạnh nâng cấp năng lực sản xuất NAND tại Trung Quốc.

Theo Sisa Journal, Samsung đã hoàn tất chuyển đổi nhà máy NAND tại Tây An từ công nghệ V6 128 lớp sang V8 236 lớp vào ngày 30/3. Công nghệ V8 hiện đã bước vào sản xuất hàng loạt, trong khi sản xuất V6 đang được thu hẹp.

Samsung đồng thời xây dựng cơ sở hạ tầng phục vụ NAND V9 286 lớp. Khoản đầu tư liên quan dự kiến hoàn thành trong năm nay, trong khi dây chuyền mới được kỳ vọng hoàn thiện và đi vào vận hành toàn diện trong năm 2027.

Theo TrendForce, nhà máy Tây An hiện chiếm khoảng 30–35% tổng công suất sản xuất NAND của Samsung. Trong khi đó, các cơ sở của SK hynix tại Đại Liên chiếm khoảng 35–40% tổng công suất NAND của tập đoàn.

Cuộc đua mở rộng công suất NAND ngày càng nóng

Việc SK hynix nối lại Fab 2 tại Đại Liên, cùng với kế hoạch mở rộng tại Cheongju và Samsung nâng cấp nhà máy Tây An, cho thấy các nhà sản xuất bộ nhớ lớn đang tích cực chuẩn bị năng lực sản xuất cho chu kỳ tăng trưởng tiếp theo của thị trường NAND.

Đáng chú ý, chiến lược của hai doanh nghiệp đang có sự phân hóa rõ rệt. Trong khi Trung Quốc tiếp tục đóng vai trò quan trọng đối với các dây chuyền NAND hiện hữu và công nghệ trưởng thành, các công nghệ NAND tiên tiến với số lớp ngày càng cao đang được ưu tiên triển khai tại Hàn Quốc.

Với nhu cầu lưu trữ ngày càng tăng từ AI, data center và các hệ thống điện toán hiệu năng cao, việc mở rộng công suất NAND có thể tiếp tục trở thành một trong những trọng tâm đầu tư lớn của ngành bộ nhớ trong những năm tới.

Nguồn tham khảo: Trendforce, Chosun Biz