Micron: Thị trường HBM có thể chỉ còn 1–2 nhà cung cấp

Micron cho rằng HBM4E sẽ đánh dấu bước chuyển quan trọng sang kỷ nguyên Custom HBM, khi các nhà sản xuất bộ nhớ bắt đầu phát triển các sản phẩm HBM được thiết kế theo yêu cầu riêng của từng khách hàng. Xu hướng này có thể đồng thời làm thay đổi cấu trúc thị trường, khi khách hàng có xu hướng lựa chọn chỉ 1–2 nhà cung cấp thay vì hợp tác với cả ba hãng HBM lớn.

HBM4E có thể mở đầu kỷ nguyên Custom HBM

Tại KeyBanc Technology Leadership Forum 2026, Sumit Sadana, Phó Chủ tịch Điều hành của Micron, cho biết xu hướng chuyển sang Custom HBM sẽ bắt đầu rõ nét từ thế hệ HBM4E. Theo Investing.com, Micron dự kiến hợp tác trực tiếp với khách hàng để phát triển các SKU HBM tùy chỉnh, đáp ứng những yêu cầu cụ thể của từng hệ thống AI.

Điểm đáng chú ý là xu hướng này có thể tác động không chỉ đến thiết kế sản phẩm mà còn đến cấu trúc cạnh tranh của thị trường HBM.

Theo Sadana, quá trình thiết kế, R&D và qualification HBM đòi hỏi nhiều thời gian và chi phí. Vì vậy, khách hàng khó có khả năng sử dụng đồng thời cả ba nhà cung cấp HBM cho mọi dự án.

Thay vào đó, thị trường có thể dần chuyển sang mô hình dual-source hoặc single-source, trong đó một khách hàng chỉ lựa chọn hai hoặc thậm chí một nhà cung cấp HBM cho một nền tảng cụ thể.

Nếu xảy ra, đây sẽ là thay đổi đáng kể so với thị trường hiện tại. Hiện SK hynix, Samsung và Micron đều đã bắt đầu cung cấp HBM4 cho nền tảng Vera Rubin của NVIDIA.

HBM ngày càng gây áp lực lên nguồn cung DRAM

Sự phát triển nhanh chóng của HBM cũng đang tạo ra một vấn đề lớn hơn đối với thị trường bộ nhớ: áp lực lên công suất DRAM truyền thống.

Tại diễn đàn của KeyBanc, Sadana nhấn mạnh lợi thế về hiệu suất năng lượng của HBM3E của Micron. Theo ông, HBM3E của hãng tiêu thụ ít hơn khoảng 30% điện năng so với sản phẩm cạnh tranh tốt nhất tiếp theo, trong khi vẫn đang được sản xuất ở quy mô lớn.

Tuy nhiên, để tăng sản lượng HBM, các nhà sản xuất phải sử dụng một lượng lớn năng lực DRAM. Micron duy trì tỷ lệ đánh đổi khoảng 3:1 giữa HBM và DDR.

Điều này có nghĩa, để sản xuất khoảng 100 bit HBM3E, ngành bộ nhớ về cơ bản phải hy sinh khoảng 300 bit nguồn cung DDR tương ứng.

Đáng chú ý, tỷ lệ này có thể tiếp tục tăng khi HBM bước sang các thế hệ mới. Khi Micron chuyển từ HBM4 sang HBM4E, tỷ lệ đánh đổi dự kiến có thể tiến gần 4:1.

Điều này đồng nghĩa với việc HBM không chỉ cạnh tranh về công suất trong chính phân khúc bộ nhớ băng thông cao, mà còn trực tiếp làm thu hẹp nguồn cung DRAM thông thường.

Micron chuẩn bị chuyển sang DRAM 1-gamma với HBM4E

Micron đã hé lộ lộ trình Custom HBM từ trước. Tại Hội nghị Công nghệ, Truyền thông và Truyền thông Toàn cầu J.P. Morgan lần thứ 54 hồi tháng 5, Manish Bhatia, EVP phụ trách Global Operations của Micron, cho biết sản phẩm HBM4E đầu tiên của công ty sẽ dựa trên tiêu chuẩn JEDEC, với kế hoạch tăng sản lượng trong năm 2027.

Hiện Micron sử dụng DRAM 1-beta cho HBM4. Tuy nhiên, khi bước sang HBM4E, công ty dự kiến chuyển sang DRAM 1-gamma, qua đó tiếp tục nâng cao mật độ và hiệu suất của bộ nhớ.

Một điểm đáng chú ý khác là logic die cho cả HBM4E tiêu chuẩn và phiên bản Custom HBM4E dự kiến đều được sản xuất bởi TSMC.

Điều này cho thấy hệ sinh thái HBM đang ngày càng trở nên phức tạp, với sự tham gia sâu hơn giữa các nhà sản xuất bộ nhớ, nhà thiết kế chip AI và các đối tác gia công bán dẫn.

SK hynix cũng đẩy mạnh chiến lược Custom Memory

Micron không phải nhà sản xuất duy nhất theo đuổi Custom HBM.

Theo News1, SK hynix đã bắt đầu tuyển dụng cho bộ phận “Next Memory Strategy” thông qua chương trình tuyển dụng hàng tháng “Highway”. Nhóm này được cho là sẽ tập trung phát triển các giải pháp bộ nhớ tùy chỉnh theo nhu cầu khách hàng và tìm kiếm những cơ hội kinh doanh mới trong lĩnh vực memory.

Chiến lược này phù hợp với mô hình “One Team” mà SK hynix đang triển khai.

Theo Sisa Week, thay vì mô hình tích hợp nội bộ như Samsung, SK hynix đang xây dựng hệ sinh thái hợp tác giữa SK hynix – NVIDIA – TSMC.

Trong mô hình này:

• NVIDIA xác định các yêu cầu về HBM cho GPU AI.
• SK hynix phụ trách sản xuất và xếp chồng các lớp bộ nhớ HBM.
• TSMC đảm nhiệm sản xuất logic die và đóng gói.

Mô hình hợp tác này cho phép từng thành viên tập trung vào thế mạnh của mình, đồng thời giúp HBM được tối ưu hóa sát hơn với yêu cầu của từng nền tảng AI.

Thị trường HBM có thể bước vào cuộc cạnh tranh mới

Sự xuất hiện của Custom HBM có thể làm thay đổi cách các nhà sản xuất bộ nhớ cạnh tranh trong những năm tới.

Thay vì chỉ tập trung vào dung lượng, băng thông và hiệu suất của một sản phẩm HBM tiêu chuẩn, các hãng sẽ phải cạnh tranh về khả năng đồng phát triển giải pháp với khách hàng, tối ưu hóa theo từng GPU hoặc hệ thống AI và đáp ứng yêu cầu riêng về hiệu suất, điện năng và đóng gói.

Trong bối cảnh đó, lợi thế có thể không còn nằm hoàn toàn ở việc có nhiều nhà cung cấp HBM, mà chuyển sang khả năng xây dựng quan hệ hợp tác sâu với các khách hàng lớn.

Nếu dự báo của Micron trở thành hiện thực, thị trường HBM trong tương lai có thể dần chuyển từ mô hình ba nhà cung cấp cùng tham gia sang mô hình dual-source hoặc thậm chí single-source đối với từng nền tảng AI.

Với nhu cầu HBM tiếp tục tăng mạnh nhờ AI accelerator và data center, cuộc đua HBM vì thế có thể sẽ không chỉ là cuộc đua về công nghệ bộ nhớ, mà còn là cuộc đua để trở thành đối tác chiến lược của các hãng chip AI lớn.

Nguồn tham khảo: TrendForce, Micron/KeyBanc Technology Leadership Forum 2026, SK hynix.