Samsung xuất xưởng HBM4, dẫn đầu cuộc đua bộ nhớ AI

Samsung chính thức xuất xưởng HBM4 thương mại, đánh dấu bước tiến quan trọng trong cuộc đua bộ nhớ băng thông cao dành cho AI và trung tâm dữ liệu. Với tiến trình DRAM 1c tiên tiến và base logic 4nm, thế hệ HBM4 mới không chỉ nâng trần hiệu năng mà còn cải thiện mạnh mẽ hiệu quả năng lượng và độ tin cậy cho các hệ thống điện toán quy mô lớn.

Samsung Electronics vừa công bố bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 và đã giao lô sản phẩm thương mại đầu tiên tới khách hàng, trở thành đơn vị tiên phong đưa HBM4 ra thị trường. Đây được xem là cột mốc quan trọng giúp hãng chiếm ưu thế sớm trong phân khúc bộ nhớ AI thế hệ mới.

Ngay từ giai đoạn sản xuất hàng loạt, Samsung đã đạt tỷ lệ thành phẩm ổn định nhờ áp dụng quy trình DRAM thế hệ thứ 6 lớp 10nm 1c mà không cần thiết kế lại kiến trúc. Đồng thời, việc kết hợp logic base die tiến trình 4nm giúp tối ưu đồng thời hiệu năng, điện năng tiêu thụ và độ bền vận hành.

HBM4 của Samsung đạt tốc độ truyền ổn định 11,7Gbps, cao hơn khoảng 46% so với chuẩn 8Gbps phổ biến trước đây. Mức hiệu năng này cũng cao hơn 1,22 lần so với HBM3E ở mức 9,6Gbps và có thể mở rộng lên tới 13Gbps khi cần thiết, qua đó giảm đáng kể các điểm nghẽn dữ liệu trong các mô hình AI ngày càng lớn.

Băng thông trên mỗi stack tăng mạnh, đạt tối đa 3,3TB/s, cao gấp 2,7 lần so với thế hệ trước. Với công nghệ xếp chồng 12 lớp, HBM4 được cung cấp ở mức dung lượng 24GB và 36GB, và trong thời gian tới sẽ có phiên bản 16 lớp nâng dung lượng lên tới 48GB nhằm đáp ứng lộ trình phát triển GPU và ASIC thế hệ mới.

Trước thách thức số chân I/O tăng gấp đôi từ 1.024 lên 2.048, Samsung đã tích hợp nhiều cải tiến ở core die nhằm tối ưu điện năng. Nhờ ứng dụng TSV điện áp thấp và tối ưu mạng phân phối điện PDN, HBM4 cải thiện 40% hiệu quả năng lượng, tăng 10% khả năng chịu nhiệt và nâng 30% hiệu suất tản nhiệt so với HBM3E.

Việc tích hợp chặt chẽ giữa Foundry và Memory theo phương pháp đồng tối ưu hóa thiết kế và công nghệ giúp Samsung đạt chất lượng cao và tỷ lệ thành phẩm vượt trội. Năng lực đóng gói tiên tiến nội bộ cũng góp phần rút ngắn thời gian sản xuất và giao hàng.

Song song đó, Samsung mở rộng hợp tác kỹ thuật với các nhà sản xuất GPU toàn cầu và hyperscaler đang phát triển ASIC thế hệ mới. Hãng kỳ vọng doanh số HBM năm 2026 sẽ tăng hơn ba lần so với 2025 và đang chủ động nâng công suất HBM4 để đáp ứng nhu cầu tăng trưởng mạnh.

Sau HBM4, Samsung dự kiến bắt đầu cung cấp mẫu HBM4E vào nửa cuối 2026, đồng thời triển khai các phiên bản HBM tùy chỉnh từ năm 2027 theo yêu cầu cấu hình riêng của khách hàng, củng cố lộ trình phát triển bộ nhớ băng thông cao trong nhiều năm tới.