Samsung công bố lộ trình CXL: Hoàn tất mẫu thử CMM-D 2.0, hướng tới bản 3.1 vào cuối năm

Tại Hội nghị Thượng đỉnh OCP Global 2025, Samsung tiếp tục khẳng định vị thế tiên phong trong lĩnh vực bộ nhớ khi công bố lộ trình phát triển mới cho mô-đun CXL (Compute Express Link) – công nghệ giao tiếp tốc độ cao đang được xem là chìa khóa cho hạ tầng AI và trung tâm dữ liệu thế hệ tiếp theo.

Theo TechNews, Samsung đã hoàn thiện mẫu thử CMM-D 2.0, cung cấp dung lượng 128 GB và 256 GB, băng thông đạt 36 GB/s, tương thích chuẩn CXL 2.0 và PCIe Gen 5, hỗ trợ một kênh DDR5. Các mẫu thử đã được chuyển đến đối tác để đánh giá. Công ty cũng tiết lộ kế hoạch ra mắt CMM-D 3.1 vào cuối năm, với dung lượng mở rộng tối đa 1 TB, băng thông 72 GB/s và hỗ trợ CXL 3.0 cùng PCIe Gen 6.

Samsung cho biết dòng CMM-D cho phép mở rộng bộ nhớ linh hoạt giữa các CPU, GPU và thiết bị tăng tốc, đồng thời có thể tích hợp trực tiếp với mô-đun DIMM hiện có. Nhờ đó, dung lượng hệ thống có thể tăng tới 50% và băng thông gấp đôi, giúp doanh nghiệp giảm chi phí đầu tư hạ tầng (TCO) mà vẫn đảm bảo hiệu năng cao.

Bên cạnh Samsung, các hãng sản xuất bộ nhớ hàng đầu như SK hynix và Micron Technology cũng đang đẩy nhanh nghiên cứu và thương mại hóa mô-đun CXL. SK hynix đã hoàn tất xác nhận mô-đun DDR5 CXL 96 GB và đang phát triển phiên bản 128 GB, đồng thời tích hợp chiplet cho bộ điều khiển CXL nội bộ đầu tiên. Trong khi đó, Micron đang triển khai các mô-đun mở rộng bộ nhớ dựa trên chuẩn CXL 2.0 nhằm rút ngắn khoảng cách công nghệ với hai đối thủ Hàn Quốc.

Sự cạnh tranh ngày càng quyết liệt giữa các nhà sản xuất hàng đầu cho thấy CXL sẽ là hướng đi trọng yếu của ngành bán dẫn, mở ra kỷ nguyên bộ nhớ linh hoạt, hiệu suất cao và tối ưu cho điện toán AI.