Cuộc đua mở rộng phòng sạch HBM: Samsung và SK hynix tăng tốc xây mới, Micron chọn đường tắt
Nhu cầu bộ nhớ cho AI tăng mạnh, trong khi lộ trình sản phẩm của NVIDIA và nhiều tập đoàn công nghệ ngày càng tham vọng, đang đẩy các hãng sản xuất bộ nhớ vào một cuộc đua mới. Không chỉ cạnh tranh về hiệu năng chip hay số lớp stack HBM, họ còn phải chạy đua về năng lực phòng sạch, yếu tố quyết định trực tiếp đến sản lượng thực tế.
Samsung và SK hynix: Tăng tốc xây dựng từ nền móng
Theo Financial News, Samsung đang đẩy nhanh tiến độ xây dựng các dây chuyền P4 và P5 tại tổ hợp Pyeongtaek. Riêng P5 được rút ngắn tiến độ hơn sáu tháng, hướng tới hoàn thành vào quý III/2026, qua đó có thể đưa vào vận hành cuối năm 2027 thay vì đầu năm 2028 như kế hoạch ban đầu.
Samsung áp dụng mô hình “fast-track”, tức triển khai song song xây dựng kết cấu nhà xưởng và lắp đặt hệ thống khí, hóa chất cùng các tiện ích kỹ thuật. Thậm chí, công ty còn bổ sung ca làm đêm để đẩy nhanh tiến độ. Đáng chú ý, P5 được thiết kế là fab ba tầng với tổng diện tích sàn ước tính tương đương P3 và P4 cộng lại, cho thấy quy mô đầu tư rất lớn. Trong khi đó, P4 dự kiến sẽ đi vào hoạt động sớm hơn, khoảng năm 2026.
Ở phía SK hynix, hãng cũng tăng tốc dự án M15X tại Cheongju. Thời điểm hoàn thành giai đoạn 4 đã được rút ngắn thêm một tháng, sau khi trước đó hãng đã đưa sớm giai đoạn 3 vào vận hành. Nhà máy M15X được định hướng sản xuất HBM4 hàng loạt, với diện tích phòng sạch khoảng 60.000 m², tương đương tổng diện tích của hai nhà máy M11 và M12 cộng lại.
Song song đó, SK hynix cũng thúc đẩy tiến độ fab đầu tiên tại cụm bán dẫn Yongin, đặt mục tiêu vận hành từ tháng 5/2027.
![]()
Micron: Mở rộng bằng chiến lược mua lại
Trái với cách xây mới hoàn toàn của các đối thủ Hàn Quốc, Micron lựa chọn chiến lược “brownfield”, tức mua lại và nâng cấp cơ sở sẵn có. Gần đây, hãng đã hoàn tất thương vụ thâu tóm nhà máy P5 của PSMC tại Tongluo, Đài Loan với giá khoảng 2 tỷ USD.
Ưu thế lớn nhất của thương vụ này là nhà máy đã có sẵn hạ tầng phòng sạch cho wafer 300mm, giúp Micron rút ngắn hơn một năm so với việc xây mới từ đầu. Theo dự báo của TrendForce, Micron sẽ lắp đặt thiết bị theo từng giai đoạn trong giai đoạn 2026–2027, chủ yếu là các công cụ front-end cho DRAM tiên tiến. Sản xuất hàng loạt được kỳ vọng bắt đầu năm 2027, với công suất giai đoạn 1 tại Tongluo có thể vượt 10% tổng công suất toàn cầu của Micron tính đến quý IV/2026.
Phòng sạch trở thành “mặt trận” chiến lược
Việc ba ông lớn đồng loạt tăng tốc mở rộng phòng sạch phản ánh một thực tế: HBM4 phức tạp hơn đáng kể so với các thế hệ trước. Số lớp xếp chồng cao hơn, quy trình chia nhỏ thành nhiều công đoạn hơn, khiến diện tích phòng sạch cần thiết để đạt cùng mức sản lượng tăng lên đáng kể.
Trong bối cảnh đó, lợi thế cạnh tranh không còn chỉ nằm ở công nghệ chip, mà ở khả năng kiểm soát và chủ động nguồn cung. “Supply visibility” đang trở thành yếu tố sống còn, khi thị trường AI biến động nhanh và nhu cầu ngày càng khó dự đoán.
Chia sẻ bài viết
Bình luận
( 0 bình luận )Bình luận của bạn
Tin tức liên quan
