Chuyên gia HBM: Khoảng cách công nghệ bộ nhớ giữa Hàn Quốc và Trung Quốc đã vượt 5 năm

Trung Quốc có thực sự đang bắt kịp các “ông lớn” bộ nhớ của Hàn Quốc hay không? Theo nhận định của một chuyên gia lâu năm trong ngành, câu trả lời là chưa. Thậm chí, khoảng cách này còn lớn hơn nhiều so với suy nghĩ phổ biến.
Theo The Korea Herald, ông Shim Dae-yong, giáo sư ngành bán dẫn thế hệ mới tại Đại học Dong-A, cho rằng khoảng cách công nghệ giữa các hãng bộ nhớ Trung Quốc và Hàn Quốc không phải 2 đến 3 năm mà đã vượt quá 5 năm, và có dấu hiệu tiếp tục nới rộng.

Ông Shim là một chuyên gia DRAM kỳ cựu, từng có 26 năm làm việc tại SK hynix. Trong thời gian đó, ông tham gia phát triển các công nghệ DRAM cốt lõi và đóng vai trò quan trọng trong giai đoạn đầu của HBM.

Khoảng cách DRAM nới rộng như thế nào
Theo ông Shim, rào cản lớn nhất với Trung Quốc là khả năng tiếp cận công nghệ quang khắc EUV. Hiện nay, EUV gần như là điều kiện bắt buộc để sản xuất DRAM ở các tiến trình tiên tiến thuộc lớp 10nm trở xuống. Khi không có EUV, việc tiếp tục thu nhỏ tiến trình và nâng hiệu năng DRAM trở nên rất khó khăn.

Các tiến trình DRAM thường phát triển từ 1x, 1y, 1z dưới 20nm lên 1a, 1b và 1c thuộc lớp 10nm. Dù kỹ thuật đa mẫu có thể giúp kéo dài việc sử dụng công nghệ quang khắc cũ trong một giới hạn nhất định, như Micron từng áp dụng ở node 1a, nhưng từ node 1b trở đi, EUV gần như không thể thay thế.
Bên cạnh đó, các doanh nghiệp Trung Quốc còn gặp khó ở tỷ lệ thành phẩm. Để có thể sản xuất thương mại với chi phí cạnh tranh, yield thường phải đạt khoảng 80 đến 90 phần trăm, một mức không dễ đạt được.

Xếp chồng 3D chỉ chuyển sang khó khăn khác
Trong bối cảnh thiếu EUV, Trung Quốc buộc phải tập trung vào công nghệ xếp chồng 3D để rút ngắn khoảng cách với Samsung, SK hynix và Micron. Tuy nhiên, theo ông Shim, cách này không giải quyết triệt để vấn đề mà chỉ chuyển điểm nghẽn sang khâu khác, đặc biệt là vật liệu và công nghệ đóng gói tiên tiến.
Các vật liệu quan trọng cho HBM như underfill hay epoxy molding hiện vẫn chủ yếu do các công ty Nhật Bản như Resonac và Namics nắm giữ. Ngay cả Samsung và SK hynix cũng đã mất nhiều năm mới dần nội địa hóa được các thành phần này.

Khoảng trống lớn về kinh nghiệm hợp tác
Ngoài công nghệ và vật liệu, một điểm yếu khác của các hãng bộ nhớ Trung Quốc là thiếu kinh nghiệm đồng phát triển. Các công ty Hàn Quốc đã mất hàng chục năm hợp tác chặt chẽ với những tập đoàn công nghệ lớn như Microsoft, Google, Apple hay NVIDIA.
Họ không chỉ bán chip nhớ mà còn cùng khách hàng thiết kế, tối ưu và kiểm chứng bộ nhớ trong các kiến trúc hệ thống mới. Đây là quá trình dài hạn, phức tạp và không thể sao chép trong thời gian ngắn. Từ những yếu tố trên, theo chuyên gia này, lợi thế trong cuộc đua DRAM và HBM vẫn đang nghiêng rõ rệt về phía các nhà sản xuất Hàn Quốc