Trong bối cảnh nhu cầu bộ nhớ phục vụ AI tăng mạnh, SK hynix đang đẩy nhanh chiến lược mở rộng công suất với các khoản đầu tư lớn cho cả DRAM và NAND. Công ty hôm nay thông báo hội đồng quản trị đã phê duyệt tổng vốn đầu tư khoảng 54,3 nghìn tỷ won, trong đó 35,2 nghìn tỷ won dành cho fab Yongin Y2 và 19,1 nghìn tỷ won dành cho fab Cheongju M17.
SK hynix cho biết Yongin Y2 sẽ là fab thứ hai trong tổng số 4 fab được quy hoạch tại Cụm bán dẫn Yongin, sau fab đầu tiên Y1, dự kiến bắt đầu vận hành cleanroom vào tháng 2/2027. Cơ sở Y2 sẽ được phát triển thành một trung tâm sản xuất DRAM chuyên biệt, có diện tích 341.000 pyeong, tương đương khoảng 1,13 triệu m².
Theo SK hynix, việc xây dựng Y2 sẽ bắt đầu vào tháng 7 năm sau, với cleanroom đầu tiên dự kiến hoàn thành vào tháng 6/2029.
Theo Hankyung, khoản đầu tư này cũng bao gồm các cơ sở hạ tầng hỗ trợ như khu vực phục vụ nhân viên, Trung tâm R&D tích hợp cùng các hệ thống tiện ích quan trọng như xử lý nước, đường hầm tiện ích, trạm biến áp và kho hàng.
Đáng chú ý, SK hynix đặt mục tiêu hoàn thành cả 4 fab trong Cụm bán dẫn Yongin vào năm 2033, sớm hơn 12 năm so với kế hoạch ban đầu là hoàn thành vào năm 2045.
SK hynix đặt mục tiêu đưa cleanroom M17 vào hoạt động cuối năm 2028
Ở một diễn biến khác, SK hynix cho biết công ty lựa chọn Cheongju làm địa điểm xây dựng fab NAND mới M17 nhờ khả năng triển khai xây dựng nhanh hơn và đẩy nhanh quá trình tăng công suất sản xuất.
Khuôn viên Cheongju hiện đã vận hành các fab M11, M12 và M15, mang lại lợi thế nhờ hệ thống cơ sở hạ tầng sản xuất sẵn có.
Theo SK hynix, fab Cheongju M17 sẽ có diện tích 206.000 pyeong, tương đương khoảng 680.000 m². Việc xây dựng dự kiến bắt đầu vào tháng 2 năm sau, với cleanroom đầu tiên được đặt mục tiêu hoàn thành vào tháng 12/2028. Theo kế hoạch, hoạt động đầu tư cho dự án sẽ tiếp tục đến tháng 4/2031.
(1).jpg)
Samsung đẩy nhanh mở rộng sản xuất DRAM tại Pyeongtaek
Trong khi đó, Samsung đang đẩy nhanh việc mở rộng công suất DRAM tại khu phức hợp Pyeongtaek.
Theo Sisa Journal, Samsung đã bắt đầu xây dựng chính thức Nhà máy Pyeongtaek số 5 (P5) vào tháng 7 và phần kết cấu bên ngoài của nhà máy đã được hoàn thành. Dự án được cho là đang đi trước khoảng 6 tháng so với kế hoạch ban đầu. Đáng chú ý, báo cáo cho biết Samsung cũng đang chuẩn bị khởi công P5 Fab 2, trước đây được biết đến với tên Plant 6. Bằng cách triển khai xây dựng P5 và P5 Fab 2 song song, Samsung muốn đẩy nhanh việc hình thành một trung tâm sản xuất DRAM tiên tiến quy mô lớn tại Pyeongtaek.
Theo Sisa Journal, tổng công suất sản xuất của P5 và P5 Fab 2 dự kiến có thể tương đương với công suất của 4 fab hiện tại của Samsung, từ P1 đến P4. Việc đẩy nhanh tiến độ xây dựng phản ánh chiến lược mở rộng công suất bộ nhớ tiên tiến trên quy mô lớn của Samsung.
Ban đầu, Samsung dự kiến xây dựng P5 và P5 Fab 2 lần lượt trong giai đoạn 2028–2029. Tuy nhiên, công ty đã chuyển sang phương án xây dựng song song sau yêu cầu từ chính phủ, theo Sisa Journal. Samsung cũng đang nỗ lực rút ngắn 7 năm tiến độ hoàn thành 6 fab tại Khu công nghiệp quốc gia Yongin, đưa thời điểm hoàn thành dự kiến từ năm 2047 lên năm 2040.
Cuộc đua mở rộng công suất bộ nhớ đang tăng tốc
Những động thái mới nhất từ SK hynix và Samsung cho thấy các nhà sản xuất bộ nhớ lớn đang đồng thời tăng tốc đầu tư vào DRAM và NAND.
Trong bối cảnh AI tiếp tục thúc đẩy nhu cầu HBM và bộ nhớ hiệu năng cao, việc mở rộng công suất không còn chỉ là câu chuyện dài hạn. Các fab mới đang được đẩy nhanh tiến độ xây dựng, trong khi các nhà sản xuất tìm cách đưa công suất mới vào hoạt động sớm hơn để đáp ứng nhu cầu thị trường đang tăng mạnh.
-be492d15a4e38.jpg)
-be4866ad93ea2.jpg)