Sáu tháng sau khi SK hynix hợp tác với SanDisk để thúc đẩy tiêu chuẩn hóa High Bandwidth Flash (HBF), liên minh này đã đạt được cột mốc quan trọng khi công bố bộ thông số kỹ thuật HBF đầu tiên. Theo SK hynix, đặc tả đầu tiên hỗ trợ dung lượng lên tới 512GB với cấu hình xếp chồng NAND 8 tầng và 16 tầng, cùng ba cấp băng thông (Grade 1–3) đạt từ khoảng 0,4TB/s đến 3,0TB/s.
Thông báo được đưa ra tại sự kiện Future of Memory and Storage (FMS) 2026, diễn ra từ ngày 4-6/8 tại Trung tâm Hội nghị Santa Clara, California. Đáng chú ý, theo SEN TV, SK hynix cũng đang thúc đẩy việc xây dựng hệ sinh thái HBF mở với sự tham gia của nhiều tên tuổi lớn như Google DeepMind và Tenstorrent.
Đặc tả HBF được công bố thông qua Open Compute Project (OCP), sử dụng chuẩn kết nối UCIe, cho phép HBF tích hợp với nhiều loại bộ xử lý khác nhau, bao gồm GPU và CPU. Theo SK hynix, tiêu chuẩn này cũng quy định các đặc tính giao tiếp và điện, tiêu chí về độ tin cậy của công nghệ xếp chồng die HBF, hướng dẫn đóng gói cũng như các yêu cầu về phần mềm và I/O.
Theo Financial News, khác với HBM sử dụng các lớp DRAM xếp chồng để tối đa hóa băng thông, HBF sử dụng các lớp NAND Flash xếp chồng nhằm tạo ra một tầng bộ nhớ mới nằm giữa HBM và SSD.
Theo TrendForce, HBF đang nổi lên như một công nghệ bổ sung cho HBM thay vì cạnh tranh trực tiếp, với khả năng giải quyết những hạn chế về chi phí cao và dung lượng còn giới hạn của HBM. Mặc dù NVIDIA vẫn chưa công bố kế hoạch áp dụng công nghệ này, giới chuyên môn vẫn đánh giá triển vọng của HBF khá tích cực. Việc Google và Tenstorrent tham gia hỗ trợ cho thấy các công ty AI lớn đang sẵn sàng xem xét HBF, dù các kịch bản ứng dụng cụ thể vẫn chưa được xác định.
TrendForce cho rằng trong dài hạn, kiến trúc bộ nhớ dành cho AI sẽ kết hợp HBM cho các tác vụ tính toán siêu tốc và HBF cho lưu trữ dữ liệu mật độ cao, tạo nên hệ thống phân cấp bộ nhớ lai có thể trở thành nền tảng quan trọng cho quá trình thương mại hóa AI quy mô lớn.
Lộ trình thương mại hóa HBF
Theo SK hynix, HBF được kỳ vọng sẽ giúp giảm tổng chi phí sở hữu (TCO) đồng thời nâng cao khả năng mở rộng của các hệ thống AI. Ngành công nghiệp dự báo nhu cầu đối với các giải pháp bộ nhớ phức hợp, bao gồm HBF, sẽ tăng mạnh vào khoảng năm 2030.
Đáng chú ý, theo ETNews hồi tháng 4, SanDisk đặt mục tiêu giới thiệu các nguyên mẫu HBF trong nửa cuối năm nay, trong đó Nhật Bản được xem là địa điểm hàng đầu để xây dựng cơ sở sản xuất. Dây chuyền sản xuất thử nghiệm dự kiến hoàn thành trong nửa cuối năm, đi vào hoạt động vào cuối năm và hướng tới thương mại hóa vào năm 2027.
NAND 4D V10 375 lớp đầu tiên thế giới sẽ sản xuất hàng loạt vào đầu năm 2027
Một điểm nhấn khác tại FMS 2026 là SK hynix giới thiệu NAND 4D thế hệ thứ 10 (V10) với 375 lớp, được công ty khẳng định là sản phẩm đầu tiên trên thế giới đạt mật độ này. Theo SK hynix, việc sản xuất hàng loạt sẽ bắt đầu vào đầu năm 2027.
Hãng cho biết sản phẩm mới cải thiện hiệu năng trên mỗi watt lên tới 2,5 lần, trực tiếp giải quyết một trong những thách thức lớn nhất của các trung tâm dữ liệu hiện nay là mức tiêu thụ điện năng.
Với các ổ SSD doanh nghiệp sử dụng NAND 375 lớp dự kiến được đưa vào sản xuất từ đầu năm tới, SK hynix kỳ vọng sẽ hoàn thiện danh mục bộ nhớ AI toàn diện mà hãng cho là duy nhất trên thị trường, bao gồm DRAM (HBM), tầng bộ nhớ trung gian HBF và lưu trữ doanh nghiệp (eSSD).
