Samsung ra mắt V10 BV-NAND đầu tiên trên thế giới với hơn 400 lớp, tăng 58% mật độ bộ nhớ so với V9

Samsung đã giới thiệu những đổi mới mới nhất về bộ nhớ AI tại hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) 2026 diễn ra ở Santa Clara, California. Theo inews24, hãng đã công bố các công nghệ bộ nhớ băng thông cao thế hệ mới, bao gồm zHBM và HBM5, cùng với V10 BV-NAND (V-NAND) hơn 400 lớp và zNAND-O, kiến trúc NAND thế hệ mới.

Động thái đẩy mạnh V-NAND của Samsung diễn ra trong bối cảnh nhu cầu lưu trữ dành cho AI ngày càng tăng. Reuters cho biết khi AI mở rộng từ giai đoạn huấn luyện các mô hình ngôn ngữ lớn sang phục vụ suy luận và tạo phản hồi cho người dùng, nhu cầu về bộ nhớ NAND dung lượng cao cũng tăng mạnh. NAND Flash hiện được sử dụng rộng rãi để lưu trữ dữ liệu như ảnh, video và ứng dụng trên các thiết bị như smartphone.

Samsung mở rộng lộ trình phát triển NAND thế hệ mới

Theo Green Economy Newspaper, Samsung đã giới thiệu V10 BV-NAND thế hệ thứ 10, công nghệ V-NAND đầu tiên trên thế giới sở hữu cấu trúc xếp chồng hơn 400 lớp.

V10 BV-NAND sử dụng công nghệ wafer bonding kết hợp với kiến trúc 3-Stack để đạt được mật độ xếp chồng cực cao này. So với thế hệ V9 trước đó, mật độ bộ nhớ tăng khoảng 58%, đồng thời hiệu năng đọc/ghi và tốc độ I/O cũng được cải thiện.

Samsung cũng lần đầu giới thiệu zNAND-O, công nghệ NAND thế hệ mới được thiết kế nhằm kết hợp tốc độ xử lý ở cấp độ DRAM với dung lượng lưu trữ của NAND Flash. Theo inews24, công nghệ này hướng đến nhiều ứng dụng AI khác nhau như AI PC, smartphone AI, robot AI và máy chủ AI.

Đáng chú ý, theo Seoul Economic Daily hồi tháng 7, Samsung đã bắt đầu sản xuất hàng loạt V10 V-NAND thế hệ thứ 10 và đang cung cấp cho NVIDIA. Báo cáo cũng cho biết hãng đang đẩy nhanh quá trình phát triển V11 V-NAND với hơn 500 lớp.

Trong khi đó, đối thủ SK hynix cũng được Ajunews cho biết sẽ trình diễn công nghệ NAND 4D thế hệ thứ 10 đầu tiên trên thế giới với 375 lớp tại cùng sự kiện. Công nghệ mới được kỳ vọng mang lại hiệu quả năng lượng cao hơn 2,5 lần và các SSD doanh nghiệp (eSSD) sử dụng NAND này sẽ được sản xuất hàng loạt từ đầu năm tới nhằm củng cố vị thế của SK hynix trên thị trường bộ nhớ AI.

Samsung mở rộng lộ trình HBM thế hệ mới

Bên cạnh các công nghệ NAND, Samsung cũng giới thiệu zHBM với hiệu năng lên đến gấp 8 lần HBM5, theo inews24.

Công nghệ này còn cho phép khách hàng tích hợp các khối IP (Intellectual Property) tùy chỉnh giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc AI, mở đường cho việc phát triển các chip AI chuyên biệt theo từng ứng dụng.

Samsung cũng ra mắt HBM5 với hiệu năng gấp đôi HBM4E, đồng thời giảm 20% điện trở nhiệt. Theo inews24, HBM5 sử dụng công nghệ quản lý nhiệt mới mang tên Heat Path Block (HPB), giúp giảm lượng nhiệt phát sinh và nâng cao độ tin cậy của hệ thống.

Ngoài ra, Samsung còn trình diễn nhiều giải pháp bộ nhớ và lưu trữ thế hệ mới khác tại triển lãm. Theo Global Economic News, LPDDR5X-PIM, sản phẩm đầu tiên trên thế giới thuộc dòng này do Samsung phát triển, có khả năng xử lý tính toán ngay trong bộ nhớ nhằm giảm lượng dữ liệu phải di chuyển và nâng cao hiệu quả sử dụng năng lượng.

Bên cạnh đó, theo thông cáo báo chí của Samsung, hãng cũng giới thiệu các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp mới nhất, bao gồm PM1763 và BM1773, được thiết kế để đáp ứng nhu cầu lưu trữ ngày càng tăng của các trung tâm dữ liệu AI.