Samsung phát triển thành công V-NAND 900 lớp, tiến gần cột mốc 1000 lớp

Samsung đang tiến gần hơn tới công nghệ V-NAND 1000 lớp khi vừa đạt được nguyên mẫu V-NAND 900 lớp đầu tiên, trong bối cảnh cuộc cạnh tranh với các đối thủ ngày càng tăng tốc.

Nguyên mẫu V-NAND 900 lớp của Samsung kết hợp hai cell 450 lớp thành một, đánh dấu bước tiến lớn trên hành trình hướng tới NAND 1000 lớp.

Samsung vốn được xem là một trong những “người tiên phong” trong lĩnh vực bán dẫn lưu trữ. Công nghệ V-NAND của hãng hiện được đánh giá thuộc nhóm tốt nhất trên thị trường. Từ năm 2024, Samsung đã lên kế hoạch phát triển NAND 1000 lớp bằng cách ứng dụng vật liệu “ferroelectric” thế hệ mới.

Theo ETNews, Samsung đã hoàn thiện công nghệ V-NAND 900 lớp đầu tiên bằng công nghệ CMB (Cell Multi-Bonding), cho phép liên kết hai cụm cell 450 lớp thành một thiết bị duy nhất. Với 900 lớp V-NAND, Samsung có thể nâng mạnh dung lượng lưu trữ cho các giải pháp SSD phục vụ nhiều lĩnh vực khác nhau như máy chủ doanh nghiệp, desktop, laptop, smartphone và nhiều hệ thống điện toán khác.

Nguồn tin từ ngành bán dẫn cho biết Samsung Electronics gần đây đã triển khai thành công hệ thống V-NAND lớp 900 sử dụng công nghệ “Cell Multi-Bonding (CMB)”, tức gắn kết hai wafer cell 450 lớp thành một khối thống nhất.

Để đạt tới V-NAND 900 lớp, Samsung phải giải quyết nhiều thách thức kỹ thuật, trong đó nổi bật là hiện tượng cong wafer. Vấn đề này đã được xử lý thông qua thiết kế “Upper Chuck Design”. Ngoài ra, hãng cũng cải thiện lỗi lệch lớp bằng công nghệ “Overlay Correction”.

Hiện tại, SK hynix đang dẫn đầu cuộc đua khi là công ty đầu tiên thương mại hóa NAND 321 lớp. Hãng cũng đang phát triển NAND 400 lớp bằng công nghệ Vertical Bonding, trong khi Samsung theo đuổi Cell Multi-Bonding và SK hynix sử dụng Hybrid Bonding.

Ở chiều ngược lại, YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) của Trung Quốc cũng đang tăng tốc mạnh mẽ. Công ty hiện đã sở hữu NAND 294 lớp và 232 lớp, đồng thời thu hẹp khoảng cách với các tên tuổi lớn như Samsung, SK hynix và Micron. YMTC cũng đầu tư mạnh vào các nhà máy mới nhằm tăng gấp đôi công suất wafer trong bối cảnh thị trường đang chịu áp lực cung cầu lớn do làn sóng AI bùng nổ.

Phương pháp xếp chồng NAND để đạt hơn 900 lớp hiện vẫn đang ở giai đoạn nguyên mẫu, nhưng đây được xem là nền tảng quan trọng cho tương lai mở rộng dung lượng lưu trữ. Samsung hiện đặt mục tiêu thương mại hóa V-NAND 1000 lớp vào khoảng năm 2030, trong khi NAND 400+ lớp sẽ xuất hiện trong vài năm tới.