Samsung lần đầu trình diễn mô hình HBM5 tại Computex, dự kiến sản xuất vào khoảng năm 2028

Chỉ ít lâu sau khi công bố bắt đầu gửi mẫu HBM4E cho khách hàng, Samsung tiếp tục có bước tiến mới khi lần đầu tiên trưng bày mô hình HBM5 (High Bandwidth Memory thế hệ thứ 8) tại Computex 2026 diễn ra ở Đài Bắc vào ngày 2/6, theo Chosun Biz và Mirror Media.

Theo Chosun Biz, Samsung dự kiến sử dụng đế (base die) được sản xuất trên tiến trình 2nm của chính hãng cho HBM5. Trong khi đó, SeDaily cho biết HBM5 đang được phát triển với các cấu hình xếp chồng DRAM gồm 12 lớp, 16 lớp và 20 lớp, với kế hoạch sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2028 sau thế hệ HBM4E.

Báo cáo cũng cho biết Samsung đang phát triển tiến trình DRAM thế hệ tiếp theo mang tên 1d, kế nhiệm tiến trình 1c hiện nay, và công nghệ này có thể được áp dụng từ thế hệ HBM5E.

Samsung nhấn mạnh công nghệ HPB là giải pháp tản nhiệt quan trọng cho HBM5

Đáng chú ý, Samsung đã giới thiệu HBM5 cùng với công nghệ Heat Path Block (HPB), một thiết kế quản lý nhiệt giúp cải thiện khả năng tản nhiệt bằng cách tạo thêm các đường dẫn nhiệt cho lượng nhiệt phát sinh bên trong bộ nhớ HBM, theo Yonhap News.

Ông Song Jae-hyuk, Giám đốc Công nghệ (CTO) bộ phận Device Solutions của Samsung Electronics, cho biết HPB đã được triển khai trên HBM4E và hoàn tất quá trình kiểm chứng về độ tin cậy cũng như độ ổn định.

Mirror Media nhận định rằng kiến trúc HBM5, với khả năng xử lý lượng dữ liệu lớn hơn ở tốc độ cao hơn đáng kể, cũng kéo theo lượng nhiệt phát sinh bên trong tăng mạnh. Đặc biệt, D2D PHY (Die-to-Die Physical Layer) – thành phần chịu trách nhiệm truyền dữ liệu siêu tốc giữa HBM và GPU bên ngoài – được xác định là một trong những nguồn phát nhiệt lớn nhất trong đế bộ nhớ.

Chính vì vậy, công nghệ HPB được phát triển nhằm giải quyết thách thức này thông qua việc bổ sung đường dẫn nhiệt độc lập tại khu vực D2D PHY, giúp cải thiện khả năng dẫn nhiệt và tản nhiệt, giảm điện trở nhiệt và nâng cao độ ổn định của hệ thống.

Tuần trước, SK hynix cũng đã giới thiệu giải pháp iHBM với hướng tiếp cận tương tự, bằng cách tích hợp trực tiếp các thành phần làm mát (ICE – Integrated Cooling Elements) vào bên trong gói bộ nhớ HBM. Theo thông cáo của công ty, công nghệ này sẽ được triển khai trên các sản phẩm thế hệ tiếp theo, bao gồm cả HBM5.