Samsung đẩy mạnh tiến trình tiên tiến, đặt mục tiêu 1nm vào năm 2030; yield 2nm vượt 60%

Samsung Electronics đang tăng tốc trong cuộc đua công nghệ bán dẫn tiên tiến. Theo Hankyung, bộ phận foundry của Samsung đặt mục tiêu phát triển tiến trình 1nm vào năm 2030. Song song đó, hãng cũng mở rộng các biến thể quy trình ở node 2nm nhằm thu hút thêm khách hàng lớn.

Ở tiến trình 1nm, Samsung dự kiến áp dụng các đổi mới về kiến trúc, trong đó có cấu trúc forksheet. Trước đó, đến thế hệ 2nm, hãng sử dụng công nghệ gate-all-around (GAA), cho phép dòng điện chạy quanh bốn mặt của kênh dẫn, giúp cải thiện hiệu suất và tiết kiệm điện năng.

Công nghệ forksheet tiếp tục thu hẹp khoảng cách giữa các transistor GAA bằng cách bổ sung các lớp cách điện giữa chúng, tương tự việc thay khoảng trống giữa các ngôi nhà bằng các bức tường cố định. Nhờ loại bỏ không gian dư thừa, cùng một diện tích chip có thể tích hợp nhiều transistor hơn.

Đáng chú ý, TSMC cũng được cho là sẽ áp dụng cấu trúc forksheet cho tiến trình 1nm sau năm 2030. Với lộ trình 1nm rõ ràng, Samsung đang cho thấy tham vọng cạnh tranh trực tiếp với TSMC ở cùng cấp độ công nghệ.

Bên cạnh đó, Samsung cũng đẩy nhanh phát triển node 2nm. Theo nguồn tin, yield 2nm hiện đã vượt mức 60% ở mức cao, cho thấy năng suất cải thiện đáng kể và mở ra kỳ vọng mảng foundry có thể quay lại lợi nhuận trong năm nay.

Đối với chip AI 2nm “AI6” của Tesla, Samsung đang phát triển quy trình tùy chỉnh mang tên SF2T, với kế hoạch sản xuất hàng loạt vào năm 2027 tại nhà máy mới ở Taylor, Texas. Ngoài ra, hãng cũng đang phát triển thêm các biến thể 2nm khác như SF2P, dự kiến triển khai từ năm 2026 cho các chip AP smartphone thế hệ mới, và SF2P+ dự kiến ra mắt vào năm 2027.

Các hãng foundry toàn cầu tăng tốc 1nm, cạnh tranh ngày càng gay gắt

Không chỉ Samsung, các hãng foundry lớn khác cũng đang đẩy mạnh lộ trình 1nm. Theo Nikkei XTech, Rapidus đặt mục tiêu thu hẹp khoảng cách công nghệ với TSMC xuống còn khoảng 6 tháng ở node 1nm. Công ty này cũng dự kiến bắt đầu phát triển công nghệ 1.4nm vào năm 2026 và hướng tới sản xuất hàng loạt vào khoảng năm 2029.

Trong khi đó, theo Economic Daily News, TSMC có thể triển khai tiến trình 1.4nm sớm hơn tại khu Central Taiwan Science Park, với nhà máy đầu tiên dự kiến hoàn tất sản xuất thử vào cuối năm 2027 và bước vào sản xuất hàng loạt trong nửa cuối năm 2028.