NVIDIA muốn chuẩn hóa NVHBM trên tiến trình 3nm của TSMC, đưa Samsung và các đối thủ xích lại gần nhau

NVIDIA được cho là đã yêu cầu Samsung Electronics, SK hynix và Micron sử dụng tiến trình 3nm của TSMC để sản xuất base die cho bộ nhớ băng thông cao tùy chỉnh NVHBM. Nếu được triển khai theo kế hoạch này, động thái sẽ đưa Samsung và TSMC — hai đối thủ cạnh tranh trực tiếp trong lĩnh vực gia công bán dẫn — vào một mối quan hệ hợp tác sâu hơn trong chuỗi cung ứng bộ nhớ AI.

Theo báo cáo của Seoul Economic Daily ngày 18/10/2026, NVIDIA muốn thống nhất công nghệ sản xuất base die giữa các nhà cung cấp nhằm giảm khác biệt về hiệu năng, đồng thời đơn giản hóa quá trình kiểm định và xác nhận tương thích sản phẩm. Thông tin này cũng được Reuters đưa tin.

NVHBM: Tối ưu bộ nhớ để giải phóng tài nguyên tính toán

NVIDIA công bố NVHBM vào tháng 8/2026 như một phần mở rộng của hệ sinh thái NVLink Fusion, hướng đến các hệ thống AI tùy chỉnh và thế hệ hạ tầng tính toán tiếp theo.

Điểm khác biệt quan trọng của NVHBM nằm ở thiết kế base die. Thay vì đặt bộ điều khiển bộ nhớ hoàn toàn trên die tính toán của GPU hoặc XPU như kiến trúc truyền thống, NVIDIA tích hợp bộ điều khiển bộ nhớ tùy chỉnh vào base die nằm ở đáy chồng bộ nhớ HBM.

Theo NVIDIA, cách tiếp cận này mang lại ba lợi ích so với HBM4E tiêu chuẩn:

• Tăng tối đa 30% băng thông bộ nhớ.

• Giảm tối đa 15% mức tiêu thụ điện năng của HBM.

• Giải phóng thêm tối đa 25% diện tích die tính toán XPU.

Phần diện tích được giải phóng có thể dành cho các mạch tính toán bổ sung, qua đó hỗ trợ nâng cao năng lực xử lý của chip. Đây là một hướng tối ưu đáng chú ý khi các hệ thống AI ngày càng đòi hỏi sự phối hợp chặt chẽ giữa năng lực tính toán, băng thông bộ nhớ và hiệu quả sử dụng năng lượng.

Vì sao NVIDIA muốn sử dụng tiến trình 3nm của TSMC?

Theo Seoul Economic Daily, NVIDIA muốn các nhà cung cấp NVHBM thống nhất sử dụng tiến trình logic 3nm của TSMC cho base die. Bên cạnh đó, các nhà cung cấp được cho là cũng được yêu cầu sử dụng công nghệ DRAM 1c thế hệ thứ sáu cho core die.

Việc chuẩn hóa này nhằm hạn chế chênh lệch về đặc tính sản phẩm giữa các nhà cung cấp, giảm khối lượng kiểm định riêng cho từng thiết kế và giúp NVIDIA triển khai NVHBM trên nhiều nguồn cung bộ nhớ khác nhau.

Một yếu tố khác được báo cáo đề cập là tỷ lệ thành phẩm (yield). Theo các ước tính trong ngành được Seoul Economic Daily dẫn lại, tỷ lệ thành phẩm của tiến trình 3nm TSMC vượt 90%, trong khi tiến trình 2nm SF2 của Samsung Foundry ở mức khoảng 60%.

Đây là các ước tính được báo chí dẫn lại, không phải số liệu hiệu suất sản xuất được hai hãng chính thức xác nhận. Tuy nhiên, nếu chênh lệch này phản ánh đúng điều kiện sản xuất thực tế, khả năng tạo ra chip đạt tiêu chuẩn với tỷ lệ cao sẽ là một lợi thế quan trọng đối với thiết kế base die có mật độ mạch logic lớn.

Samsung và TSMC: Đối thủ gia công bán dẫn cùng tham gia chuỗi cung ứng HBM

Samsung và TSMC cạnh tranh trong lĩnh vực gia công chip logic cho nhiều khách hàng lớn. Tuy nhiên, nhu cầu ngày càng tăng đối với bộ nhớ phục vụ AI đang tạo ra cơ hội hợp tác ở những khâu cụ thể của chuỗi sản xuất.

Theo Seoul Economic Daily, Samsung và TSMC từng phối hợp khoảng bốn năm trước để bảo đảm khả năng tương thích giữa HBM và quy trình đóng gói GPU của TSMC. Quan hệ hợp tác được đưa tin lần này tiến thêm một bước khi mở rộng sang khâu sản xuất base die cho HBM tùy chỉnh.

Đối với Samsung, việc sử dụng tiến trình của TSMC cho NVHBM đồng nghĩa với việc điều chỉnh mô hình sản xuất tích hợp vốn cho phép hãng tự đảm nhiệm cả core die lẫn base die.

Dù vậy, điều này không đồng nghĩa Samsung từ bỏ năng lực sản xuất nội bộ. Theo các báo cáo, hãng vẫn duy trì kế hoạch tự sản xuất base die cho dòng HBM tiêu chuẩn và các sản phẩm HBM tùy chỉnh dành cho những khách hàng khác.

Samsung vẫn phát triển phương án sản xuất base die trên tiến trình 2nm

Một điểm đáng chú ý là Samsung được cho là đang đồng thời đánh giá khả năng sản xuất base die NVHBM bằng tiến trình 2nm SF2 của chính mình.

Theo Seoul Economic Daily, phương án này nhằm tạo thêm lựa chọn nếu năng lực sản xuất 3nm của TSMC không đáp ứng đủ nhu cầu. Công suất của TSMC cũng phải phục vụ các sản phẩm khác, bao gồm chip tăng tốc AI và chip dành cho thiết bị di động.

Báo cáo ngày 18/10 cho biết Samsung đang xem xét khả năng sử dụng tiến trình 2nm nội bộ cho base die NVHBM. Tuy nhiên, thông tin này chưa đồng nghĩa Samsung đã được NVIDIA phê duyệt để thay thế tiến trình 3nm TSMC trong sản xuất thương mại.

Với các dòng HBM tiêu chuẩn, Samsung vẫn duy trì mô hình sản xuất riêng. Theo báo cáo, base die của HBM4 đã bước vào sản xuất hàng loạt và HBM4E đang trong quá trình xác nhận sản xuất được chế tạo trên tiến trình 4nm của Samsung Foundry. Core die sử dụng công nghệ DRAM 1c tại các cơ sở của hãng ở Hwaseong và Pyeongtaek.

Chuẩn hóa bộ nhớ có thể trở thành một yếu tố quan trọng của hạ tầng AI

Câu chuyện NVHBM cho thấy việc phát triển hạ tầng AI không chỉ phụ thuộc vào năng lực tính toán của GPU. Thiết kế bộ nhớ, băng thông truyền dữ liệu, hiệu quả sử dụng năng lượng, công nghệ đóng gói và khả năng mở rộng nguồn cung cũng có vai trò quan trọng.

Với NVIDIA, chuẩn hóa NVHBM trên nhiều nhà cung cấp có thể giúp đơn giản hóa quá trình tích hợp và xác nhận sản phẩm, đồng thời mở rộng lựa chọn nguồn cung. Với Samsung, việc hợp tác với TSMC ở một công đoạn cụ thể cho thấy ranh giới giữa cạnh tranh và hợp tác trong ngành bán dẫn có thể thay đổi theo yêu cầu kỹ thuật và nhu cầu thị trường.

Trong thời gian tới, những vấn đề cần theo dõi gồm khả năng triển khai NVHBM trên quy mô thương mại, năng lực cung ứng base die của TSMC và tiến độ hoàn thiện phương án sản xuất thay thế của Samsung. Đây sẽ là những yếu tố quan trọng để đánh giá tác động thực tế của chiến lược này đối với chuỗi cung ứng bộ nhớ AI.

Nguồn: NVIDIA, Seoul Economic Daily, ZDNet Korea, Economic Daily News.