Micron khởi công mở rộng nhà máy Hiroshima, tăng tốc sản xuất DRAM 1γ và HBM, thiết bị dự kiến lắp đặt từ nửa cuối năm 2028

Chỉ ít lâu sau khi các hãng bộ nhớ Hàn Quốc công bố kế hoạch đầu tư tổng cộng 800 nghìn tỷ won để mở rộng năng lực sản xuất, Micron, theo Bloomberg và EE Times Japan, đã chính thức khởi công dự án mở rộng nhà máy tại Hiroshima vào ngày 4/7 với tổng vốn đầu tư khoảng 1,5 nghìn tỷ yên (9,3 tỷ USD).

Theo các báo cáo, việc bàn giao và lắp đặt thiết bị sẽ bắt đầu từ nửa cuối năm 2028. Bộ Kinh tế, Thương mại và Công nghiệp Nhật Bản (METI) cũng cam kết hỗ trợ tối đa 500 tỷ yên cho dự án.

Theo XenoSpectrum, đây không chỉ là một dự án mở rộng công suất thông thường. Nhà máy Hiroshima hiện đã là một trong những cơ sở sản xuất chủ lực của Micron cho DRAM tiến trình 1β (one-beta) và cũng là nơi đầu tiên của hãng triển khai công nghệ quang khắc EUV cho tiến trình 1γ (one-gamma). PC Watch cho biết HBM4 của Micron, được phát triển cho nền tảng Vera Rubin của NVIDIA, đã bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt, đồng thời công ty đang tiếp tục chuyển đổi từ tiến trình 1β sang 1γ để mở rộng sản lượng.

XenoSpectrum cũng cho biết trong buổi công bố kết quả kinh doanh quý III năm tài chính 2026, Micron tiết lộ đã gửi các mẫu đánh giá (qualification samples) của mô-đun DDR5 RDIMM 256GB dựa trên tiến trình 1γ tới các đối tác lớn trong hệ sinh thái máy chủ. Bên cạnh đó, hãng cũng đã bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ LPDDR5X 16Gb trên tiến trình 1γ dành cho các nhà sản xuất smartphone hàng đầu.

"Wafer HBM đầu tiên trong lịch sử của Micron đã được sản xuất ngay tại Hiroshima," CEO Sanjay Mehrotra phát biểu tại lễ khởi công, theo Bloomberg.

Đáng chú ý, dự án này cũng phản ánh sự hợp tác ngày càng chặt chẽ giữa Mỹ và Nhật Bản trong chuỗi cung ứng bộ nhớ. Bloomberg dẫn lời ông Mehrotra: "Khi sự táo bạo của nước Mỹ kết hợp với tinh thần thủ công của Nhật Bản, kết quả không phải là một sự thỏa hiệp mà là những gì tốt nhất thế giới." Trong khi đó, The Japan Times cho biết khoảng 80% vật liệu bán dẫn được sử dụng tại nhà máy Hiroshima của Micron có nguồn gốc từ Nhật Bản.

Rủi ro dư cung bắt đầu xuất hiện

Ở chiều ngược lại, làn sóng mở rộng công suất mạnh mẽ cũng làm dấy lên những lo ngại về nguy cơ dư cung trong tương lai. Theo The Chosun Daily, một nhà máy bán dẫn thường cần ít nhất ba năm kể từ khi khởi công đến khi hoàn tất lắp đặt thiết bị và ổn định tỷ lệ sản phẩm đạt chuẩn (yield). Điều này đồng nghĩa phần lớn các khoản đầu tư hiện nay sẽ chỉ chuyển thành sản lượng thực tế sau năm 2028.

Khoảng trễ này, theo báo cáo, làm gia tăng lo ngại rằng ngành công nghiệp có thể rơi vào tình trạng dư cung nếu nhu cầu thị trường suy yếu trong thời điểm nhiều nhà máy mới tại các khu vực khác nhau đồng loạt đi vào hoạt động.

Trong bối cảnh đó, các nhà sản xuất bộ nhớ Hàn Quốc cũng đang tăng tốc cuộc đua mở rộng năng lực sản xuất nhằm đảm bảo vị thế cạnh tranh. Theo The Chosun Daily, Samsung Electronics dự kiến đưa nhà máy P4 (Phase 4) tại Pyeongtaek vào vận hành toàn bộ từ tháng 11 năm nay, sau đó lần lượt mở rộng P5-1 vào năm 2028 và P5-2 vào năm 2030. Trong khi đó, SK hynix đặt mục tiêu đưa nhà máy M15X tại Cheongju vào hoạt động toàn diện trong năm 2027, đồng thời dự kiến khởi công nhà máy M17 vào năm sau và bắt đầu sản xuất trong nửa đầu năm 2029.