SK hynix bắt đầu sản xuất hàng loạt chip nhớ NAND flash 321 lớp đầu tiên trên thế giới

SK hynix đã bắt đầu sản xuất hàng loạt bộ nhớ NAND Flash 4D 321 lớp đầu tiên trên thế giới dựa trên công nghệ Triple Level Cell (TLC)1, với dung lượng 1TB.

NAND flash là chip bộ nhớ có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi tắt nguồn với công nghệ xếp chồng (trong đó các ô nhớ được xếp chồng theo chiều dọc), giúp tăng dung lượng dữ liệu. 1NAND Flash được phân loại thành các cell lưu trữ đơn, ba, bốn, năm và đa cấp độ, tùy thuộc vào số lượng thông tin được lưu trữ theo đơn vị bit trong mỗi cell. Số lượng thông tin lưu trữ càng lớn thì dữ liệu được lưu trữ trên cùng một diện tích càng nhiều.

Sau khi lập kỷ lục là nhà cung cấp đầu tiên trong ngành với bộ nhớ NAND 238 lớp cao nhất thế giới từ tháng 6 năm ngoái, SK hynix đã trở thành nhà cung cấp đầu tiên đạt hơn 300 lớp NAND nhờ những đột phá công nghệ trong quy trình xếp chồng. Công ty dự kiến cung cấp sản phẩm NAND 321 lớp cho khách hàng từ nửa đầu năm sau.

Việc xếp chồng hơn 300 lớp đã trở thành hiện thực nhờ áp dụng thành công quy trình công nghệ “3 plugs”. Quy trình này nổi bật với hiệu suất sản xuất vượt trội, kết nối điện ba lớp plug thông qua quy trình tối ưu hóa sau khi hoàn thành ba lần xử lý plug. SK hynix đã phát triển một loại vật liệu ít áp lực3, đồng thời giới thiệu công nghệ tự động chỉnh sửa căn chỉnh giữa các plug.

Nhờ áp dụng cùng nền tảng phát triển từ bộ nhớ NAND 238 lớp lên sản phẩm NAND 321 lớp, công ty đã cải thiện năng suất thêm 59% so với thế hệ trước bằng cách giảm thiểu tác động từ việc chuyển đổi quy trình.

Sản phẩm mới nhất còn tăng tốc độ truyền dữ liệu thêm 12% và cải thiện hiệu suất đọc lên 13% so với thế hệ trước. Đồng thời, hiệu suất năng lượng khi đọc dữ liệu cũng được nâng cao hơn 10%.

SK hynix có kế hoạch dần dần mở rộng phạm vi sử dụng bằng cách tích cực đáp ứng các thị trường mới có hiệu suất cao, năng lượng thấp cho AI với NAND 321 lớp.

Choi Jeong-dal, phó chủ tịch phát triển NAND tại SK hynix, cho biết: "Chúng tôi sẽ tiến tới trở thành 'nhà cung cấp bộ nhớ AI đầy đủ (full stack)' với danh mục bộ nhớ hiệu suất cực cao hoàn chỉnh không chỉ ở bộ nhớ băng thông cao (HBM), mà còn ở NAND".