Ba “nút thắt” đang siết chặt nguồn cung bộ nhớ toàn cầu đến sau 2026

Thị trường bộ nhớ toàn cầu đang bước vào một giai đoạn căng thẳng mới, không còn mang tính chu kỳ ngắn hạn mà dần bộc lộ những vấn đề mang tính cấu trúc. Nhiều tín hiệu cho thấy tình trạng thiếu hụt nguồn cung có thể kéo dài sang sau năm 2026, đặc biệt dưới tác động của làn sóng đầu tư mạnh mẽ vào hạ tầng AI và trung tâm dữ liệu quy mô lớn.

Bùng nổ trung tâm dữ liệu AI đẩy nhu cầu bộ nhớ tăng đột biến

Trong những năm gần đây, tốc độ xây dựng các trung tâm dữ liệu phục vụ AI và điện toán đám mây đã tăng nhanh hơn dự báo. Các hệ thống AI thế hệ mới không chỉ đòi hỏi GPU hiệu năng cao và mức tiêu thụ điện lớn, mà còn tiêu thụ khối lượng bộ nhớ và lưu trữ khổng lồ.

Theo các tổ chức nghiên cứu thị trường, chi tiêu vốn của nhóm các nhà cung cấp dịch vụ đám mây hàng đầu thế giới đang tăng mạnh theo từng năm và chưa có dấu hiệu chững lại. Dự báo cho thấy tổng CapEx của nhóm này trong năm 2026 có thể vượt mốc 600 tỷ USD, phản ánh nhu cầu dài hạn rất lớn đối với hạ tầng AI.

Đáng chú ý, các dự án AI quy mô cực lớn hiện nay yêu cầu lượng DRAM ở mức chưa từng có, thậm chí chỉ một dự án cũng có thể chiếm tỷ trọng đáng kể trong tổng sản lượng DRAM toàn cầu. Điều này tạo ra áp lực chưa từng thấy lên chuỗi cung ứng bộ nhớ.

HBM tăng tốc, kéo theo áp lực lên DDR5 và DRAM truyền thống

Một yếu tố then chốt khác là sự bùng nổ nhu cầu đối với HBM (High Bandwidth Memory) – dòng bộ nhớ hiệu năng cao phục vụ AI và GPU tăng tốc. Việc mở rộng sản xuất HBM không diễn ra độc lập, mà phải “đánh đổi” trực tiếp với các dòng DRAM khác.

Trong sản xuất hiện nay, để tạo ra HBM cần sử dụng tài nguyên và công suất tương đương nhiều lần so với DDR5, với tỷ lệ chuyển đổi phổ biến ở mức 3:1. Đáng lưu ý, tỷ lệ này còn có xu hướng tăng ở các thế hệ HBM tiếp theo. Điều đó đồng nghĩa với việc mỗi khi HBM mở rộng, nguồn lực dành cho DDR5 và các dòng DRAM phổ thông sẽ bị thu hẹp.

Trong khi đó, quá trình loại bỏ dần DDR4 và chuyển đổi các dây chuyền sản xuất cũ sang công nghệ mới cũng khiến nguồn cung DRAM truyền thống trở nên nhạy cảm hơn trước biến động nhu cầu. Dù một số nhà sản xuất đang điều chỉnh chiến lược để cân bằng lại giữa HBM và DRAM phổ thông, áp lực nguồn cung nhìn chung vẫn chưa được giải tỏa.

Cleanroom trở thành điểm nghẽn mang tính cấu trúc

Không giống như các giai đoạn thiếu hụt trước đây, vấn đề hiện tại không chỉ nằm ở nhu cầu tăng cao, mà còn ở giới hạn vật lý của năng lực sản xuất. Việc mở rộng cleanroom – điều kiện bắt buộc để tăng công suất DRAM và NAND đang gặp trở ngại lớn do thời gian xây dựng kéo dài và chi phí đầu tư ngày càng cao.

Theo các báo cáo ngành, công suất cleanroom cho DRAM trên toàn cầu hiện vẫn bị hạn chế. Chỉ một số ít nhà sản xuất có thể mở rộng ở mức độ nhất định, trong khi nhiều dự án nhà máy mới phải chờ đến giai đoạn 2027 trở đi mới có thể đi vào vận hành thương mại.

Ngay cả khi chi tiêu vốn của các nhà sản xuất bộ nhớ tiếp tục tăng, sản lượng thực tế trong vài năm tới vẫn chỉ có thể cải thiện ở mức tương đối, khó theo kịp tốc độ tăng của nhu cầu AI và cloud.

Thiếu hụt mang tính dài hạn, không còn là câu chuyện chu kỳ

Khi nhu cầu AI tiếp tục leo thang, HBM chiếm dụng một phần lớn năng lực DDR5, và các nhà máy mới chưa thể sớm hoàn thành, thị trường bộ nhớ đang chịu tác động của những yếu tố mang tính cấu trúc hơn là biến động ngắn hạn.

Điều này cho thấy trong trung hạn và dài hạn, nguồn cung bộ nhớ có thể tiếp tục bị siết chặt, giá bán duy trì ở mức cao, và các doanh nghiệp sử dụng bộ nhớ quy mô lớn sẽ cần lên kế hoạch dự trữ, ký kết hợp đồng dài hạn và tối ưu chiến lược закуп (procurement) sớm hơn so với trước đây.