Samsung bắt đầu sản xuất hàng loạt V-NAND QLC thế hệ thứ 9 đầu tiên trong ngành cho kỷ nguyên AI

QLC V-NAND mới nhất kết hợp nhiều công nghệ đột phá, bao gồm kỹ thuật khoét lỗ kênh (Channel Hole Etching) cho phép đạt số lượng lớp cao nhất trong ngành với cấu trúc xếp chồng kép.

QLC và TLC đầu tiên trong ngành V-NAND thế hệ thứ 9 cung cấp bộ nhớ tối ưu cho nhiều ứng dụng AI khác nhau

Ngày 12 tháng 9 năm 2024, Samsung Electronics thông báo rằng công ty đã bắt đầu sản xuất hàng loạt NAND dọc thế hệ thứ 9 (V-NAND) bốn cấp ô (QLC) một terabit (Tb).

Với sản xuất hàng loạt V-NAND QLC thế hệ thứ 9 đầu tiên trong ngành, sau sản xuất V-NAND TLC thế hệ thứ 9 đầu tiên trong ngành  vào tháng 4 năm nay, Samsung đang củng cố vị thế dẫn đầu của mình trên thị trường flash NAND hiệu suất cao, dung lượng cao.

“Việc khởi động sản xuất hàng loạt thành công V-NAND QLC thế hệ thứ 9 chỉ bốn tháng sau phiên bản TLC cho phép chúng tôi cung cấp đầy đủ các giải pháp SSD tiên tiến đáp ứng nhu cầu của kỷ nguyên AI”, SungHoi Hur, Phó chủ tịch điều hành kiêm Trưởng bộ phận Sản phẩm & Công nghệ Flash tại Samsung Electronics cho biết. “Thị trường SSD doanh nghiệp cho thấy sự tăng trưởng nhanh chóng với nhu cầu mạnh mẽ hơn đối với các ứng dụng AI, chúng tôi sẽ tiếp tục củng cố vị thế dẫn đầu của mình trong phân khúc này thông qua V-NAND QLC và TLC thế hệ thứ 9 của chúng tôi”.

Samsung có kế hoạch mở rộng ứng dụng của QLC thế hệ thứ 9 V-NAND, bắt đầu với các sản phẩm tiêu dùng có thương hiệu và mở rộng sang Bộ lưu trữ Flash di động phổ thông (UFS), PC và ổ SSD máy chủ cho khách hàng, bao gồm cả nhà cung cấp dịch vụ đám mây.

Bộ nhớ V-NAND QLC thế hệ thứ 9 của Samsung kết hợp một số cải tiến đã tạo nên những đột phá về công nghệ:

Công nghệ khắc lỗ kênh vô song của Samsung đã được sử dụng để đạt được số lớp cao nhất trong ngành với cấu trúc xếp chồng kép. Tận dụng chuyên môn công nghệ có được từ TLC V-NAND thế hệ thứ 9, diện tích của các ô và mạch ngoại vi đã được tối ưu hóa, đạt được mật độ bit hàng đầu trong ngành cao hơn khoảng 86% so với QLC V-NAND thế hệ trước.

Công nghệ Designed Mold điều chỉnh khoảng cách của Word Lines (WL), hoạt động trên các cell, để đảm bảo tính đồng nhất và tối ưu hóa các đặc điểm của cell trên và trong các lớp. Những đặc điểm này ngày càng trở nên quan trọng khi số lượng lớp V-NAND tăng lên. Việc áp dụng Designed Mold đã cải thiện hiệu suất lưu trữ dữ liệu khoảng 20% ​​so với các phiên bản trước, dẫn đến độ tin cậy của sản phẩm được nâng cao. 

Công nghệ Predictive Program dự đoán và kiểm soát các thay đổi trạng thái ô để giảm thiểu các hành động không cần thiết. QLC thế hệ thứ 9 V-NAND của Samsung đã tăng gấp đôi hiệu suất ghi và cải thiện tốc độ nhập/xuất dữ liệu lên 60% thông qua những tiến bộ trong công nghệ này.

Tiêu thụ điện năng đọc và ghi dữ liệu giảm khoảng 30% và 50% tương ứng, với việc sử dụng công nghệ Thiết kế công suất thấp . Phương pháp này làm giảm điện áp điều khiển các ô NAND và giảm thiểu mức tiêu thụ điện năng bằng cách chỉ cảm biến các đường bit cần thiết (BL).